Albert-Marcel Schrotz
M. Sc. Albert-Marcel Schrotz, Akad. Rat
Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik (EEI)
Lehrstuhl für Technische Elektronik
Cauerstraße 9
91058 Erlangen
- Telefon: +49 9131 85-27193
- Faxnummer: +49 9131 85-28730
- E-Mail: albert-marcel.schrotz@fau.de
- Webseite: http://www.lfte.de
Lebenslauf
Albert-M. Schrotz hat sein Studium der Mechatronik (B.Sc.) und Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik an der FAU Erlangen-Nürnberg im März 2019 erfolgreich mit dem Master of Science (M. Sc.) abgeschlossen. Seit Mai 2019 ist er als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Lehrstuhl für Technische Elektronik in der Gruppe RFMXIS tätig. Seit Februar 2021 ist er Teamleiter des MXIS-Teams, das seit Juli 2022 als eigenständige Gruppe arbeitet. Seit Juli 2022 ist er Gruppenleiter der Gruppe Mixed-Signal-Integrated-Systems (MXIS).
Arbeitsgebiete
- RF Chipdesign (upto 325 GHz)
- RF System Engineering
- ADC/DAC Design
- FPGAs
Lehrveranstaltungen
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Publikationen
2024
- Schrotz, A.-M., Breun, S., Schönhärl, S., & Weigel, R. (2024). A Digitally Controlled D-Band Phase Shifter for FMCW Radar and RadCom in SiGe BiCMOS. (Unpublished, Accepted).
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2022
- Breun, S., Schrotz, A.-M., Dietz, M., Issakov, V., & Weigel, R. (2022). A 268-325 GHz 5.2 dBm Psat Frequency Doubler using Transformer-Based Mode Separation in SiGe BiCMOS Technology. In Proceedings of the 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) (pp. 1-4).
DOI: 10.1109/BCICTS50416.2021.9682474
BibTeX: Download - Breun, S., Schrotz, A.-M., Dietz, M., Issakov, V., & Weigel, R. (2022). A 295-337 GHz 2.5 dBm Psat Cascode-Based Frequency Doubler in SiGe BiCMOS Technology. In Proceedings of the 2022 IEEE 22nd Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF) (pp. 66-69). Las Vegas.
DOI: 10.1109/SiRF53094.2022.9720049
BibTeX: Download - Schrotz, A.-M., Breun, S., Issakov, V., Dietz, M., & Weigel, R. (2022). A 220-325 GHz Subharmonic Receiver with 14.8 dB Peak Conversion Gain for FMCW Radar in SiGe BiCMOS Technology. In Proceedings of the IEEE Radio & Wireless Week. Las Vegas.
DOI: 10.1109/sirf53094.2022.9720057
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2021
- Breun, S., Schrotz, A.-M., Dietz, M., Issakov, V., & Weigel, R. (2021). A 314-344 GHz Frequency Doubler with Driving Stage and 1 dBm Psat in SiGe BiCMOS Technology. In Proceedings of the IEEE Radio & Wireless Week. Virtual Conference.
DOI: 10.1109/sirf51851.2021.9383328
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2020
- Breun, S., Völkel, M., Schrotz, A.-M., Dietz, M., Issakov, V., & Weigel, R. (2020). A Low-Power 14% FTR Push-Push D-Band VCO in 130 nm SiGe BiCMOS Technology with -178 dBc/Hz FOMT. In Proceedings of the RWW 2020.
DOI: 10.1109/sirf46766.2020.9040174
BibTeX: Download - Carlowitz, C., Vossiek, M., Girg, T., Dietz, M., Schrotz, A.-M., Maiwald, T.,... Berroth, M. (2020). SPARS — Simultaneous Phase and Amplitude Regenerative Sampling. In Rolf Kraemer, Stefan Scholz (Eds.), Wireless 100 Gbps And Beyond. Architectures, Approaches and Findings of German Research Foundation (DFG) Priority Programme SPP1655. (pp. 37-74). Frankfurt/Oder: IHP GmbH, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder).
BibTeX: Download - Maiwald, T., Schrotz, A.-M., Kolb, K., Potschka, J., Dietz, M., Hagelauer, A.M., & Weigel, R. (2020). A Technology Independent Synthesis Approach for Integrated mmWave Coupled Line Circuits. In Proceedings of the IEEE Radio and Wireless Symposium. San Antonio, Texas, US.
DOI: 10.1109/rws45077.2020.9050010
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2019
- Schrotz, A.-M., Maiwald, T., Kolb, K., Breun, S., Dietz, M., Hagelauer, A.M., & Weigel, R. (2019). Design Methodology for Automatically Designed, Integrated Marchand Baluns with Low Insertion Loss at Lowest Phase Imbalance. In Proceedings of the APMC (Asia-Pacific Microwave Conference). Singapur, SG.
DOI: 10.1109/APMC46564.2019.9038425
BibTeX: Download - Völkel, M., Schrotz, A.-M., Weigel, R., & Hagelauer, A.M. (2019). A 60-GHz Integrated Radar Transmitter with Multiple Frequency Inputs and Digital Adjustable Gain in a 130-nm BiCMOS Technology. In Proceedings of the IEEE Radio and Wireless Symposium. Orlando, FL, US.
DOI: 10.1109/rws.2019.8714496
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